磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究

微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.本文根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.     

黄河龙青段主要环境工程地质问题分析思路

介绍了黄河上游龙青段主要环境工程地质问题的分析思路，以达到抛砖引玉，交流和提高电工程地质勘测水平的目的。     

浸没式光刻技术的研究进展

浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径，可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理，讨论了液体浸没带来的问题，最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。     

浸入凝胶法聚合物膜形成机理的研究现状

从热力学、传质动力学、相分离机制和固化过程几方面综述了浸入凝胶过程中聚合物膜形成机理的研究现状 .指出浸入凝胶成膜过程是传质交换和由传质交换引发的相分离以及其后的固化过程之间相互竞争的复杂非平衡过程 ,膜结构是上述几个过程竞争的结果     

等离子体浸没离子注入和沉积技术制备TiN薄膜研究

利用多功能等离子体浸没离子注入设备 ,采用等离子体浸没离子注入和沉积技术在Ti合金表面制备具有优异力学性能的TiN薄膜。研究了真空室中氮气存在状态及氮气压力对薄膜性能的影响 :当氮以中性气体存在于真空室中 ,薄膜的生长主要受热力学因素控制 ,沿着低自由能的密排面 (低指数面 )TiN(1 1 1 )择优生长 ;当氮以等离子体状态存在于真空室中 ,薄膜沿着高指数面TiN(2 2 0 )择优生长 ,具有高硬度、耐磨性好的优点 ,并且随着N分压的提高 ,薄膜耐磨性提高     

Plasma immersion ion implantation for SOI synthesis: SIMOX and ion-cut

We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII) for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO₂ interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance.     

等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究

本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。     

K—调和映射的稳定性

本广继[8]后讨论了K—调和映射的稳定性。作为其应用最后得出了当N具常数截面曲率时,稳定2、3—调和映射的几个不存在定理。     

20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＾＊＝１．４６×１０＾１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ，λｃ（２０％）－２０μ，灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．１２ｍｍ＾２，和有效通光孔径ψ＝６ｍｍ的浸没型器件。